RU 2030134 C1, 27.02.1995. RU 2092983 С1, 10.10.1997. US 7624566 В1, 01.12.2009. US 7420182 B2, 02.09.2008.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский авиационный институт (государственный технический университет)" (RU)
Изобретатели:
Грдличко Дмитрий Петрович (RU) Ким Владимир (RU) Козлов Вячеслав Иванович (RU) Козубский Константин Николаевич (RU) Сидоренко Евгений Константинович (RU) Умницын Лев Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский авиационный институт (государственный технический университет)" (RU)
Реферат
Изобретение относится к плазменной технике и может использоваться при разработке плазменных ускорителей с замкнутым дрейфом электронов и протяженной зоной ускорения, применяемых в качестве электрореактивных двигателей, а также в составе технологических плазменных установок. Плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов содержит разрядную камеру с наружной и внутренней кольцеобразными стенками, образующими кольцеобразный ускорительный канал с открытой выходной частью. Анод-газораспределитель (4) установлен в полости ускорительного канала на расстоянии от среза выходной части разрядной камеры, превышающем ширину ускорительного канала. Катод-компенсатор размещен за срезом выходной части разрядной камеры. Магнитная система включает в свой состав источники магнитодвижущей силы, в качестве которых используются катушки намагничивания (5, 7), установленные на сердечниках (6, 8), торцевая часть магнитопровода (9), наружный и внутренний магнитные полюса (10, 11), образующие кольцевой межполюсный рабочий зазор у среза выходной части разрядной камеры, и кольцеобразный магнитный экран (12). Изобретение направлено на повышение эффективности ускорения потока ионов (тяговой эффективности) и ресурса плазменного ускорителя за счет расширения зоны регулирования магнитного поля в непосредственной близости от полюсов магнитной системы. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента