|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ БЕСКОНТАКТНОГО ИЗМЕРЕНИЯ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА ВТСП И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ |  |
Номер публикации патента: 2244317 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01R031/00 | | Аналоги изобретения: | US 6034527 A 07.03.2000. RU 2102771 С1 20.01.1998. DE 10041797 A1 03.05.2001. |
| Имя заявителя: | Марийский государственный университет (RU) | | Изобретатели: | Буев А.Р. (RU) | | Патентообладатели: | Марийский государственный университет (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения критического тока в высокотемпературном сверхпроводнике (ВТСП). В способе измерения критического тока его величину определяют без проникновения магнитного поля соленоида в ВТСП по разности полей соленоида без ВТСП-кольца и с ВТСП-кольцом, кроме того, в устройстве измерения магнитный сердечник является магнитозамкнутым и на участке внутри соленоида имеет зазор, в котором располагается датчик поля, а на соленоид н
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента