На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Номер публикации патента: 2178182

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  2000117097/09		Получить полное описание патента

Реферат

Предлагаемый способ относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию внешних дестабилизирующих факторов. В предлагаемом способе устойчивость к воздействию внешних дестабилизирующих факторов определяется по результатам следующих воздействий: гамма-нейтронное импульсное излучение со средней энергией нейтронов 1,0-3,0 МэВ заданного уровня, гамма-нейтронное импульсное излучение со средней энергией нейтронов 1,0-3,0 МэВ уровня 1012 у. е. и выдержка при повышенной температуре 40-135oС в течение 10-150 ч, гамма-нейтронное импульсное излучение со средней энергией нейтронов 1,0-3,0 МэВ уровня, соответствующего протонному излучению. Техническим результатом предложенного способа является повышение достоверности результатов испытаний, уменьшение их трудоемкости, сокращение продолжительности и, как следствие, уменьшение стоимости. Технический результат достигается за счет того, что моделирование различных радиационных воздействий и длительных сроков функционирования аппаратуры производится с использованием одной установки, создающей гамма-нейтронное импульсное излучение со средней энергией нейтронов 1,0-3,0 МэВ и температурного воздействия. Поэтому заявляемый способ является наиболее рациональным и экономичным. Повышение достоверности при использовании способа достигается из-за учета того факта, что различные дестабилизирующие факторы в реальных условиях воздействуют на одни и те же приборы.

Вернуться к списку