|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАДЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ В МДПДМ - СТРУКТУРЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2101720 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01R031/26 | | Аналоги изобретения: | 1. Мустель Е.Р., Парыгин В.Н. Методы модуляции и сканирования света. -М.: Наука, 1970, 300. 2. SU, авторское свидетельство, кл. G 01 R 31/26, 1980. |
| Имя заявителя: | Курский государственный технический университет | | Изобретатели: | Захаров И.С.
Спирин Е.А.
Умрихин В.В. | | Патентообладатели: | Курский государственный технический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах. Сущность изобретения: способ измерения падения напряжения на полупроводнике в МДПДМ-структуре состоит в том, что определяют падение напряжения на диэлектрике путем интегрирования на емкости диэлектрика, протекающего через МДПДМ-структуру тока, а затем проводят вычитание полученного интеграла из полного напряжения, приложенного к МДПДМ-структуре. Устройство, реализующее способ, содержит выход напряжения питания от источника импульсного напряжения для МДПДМ-структуры, МДПДМ-структуру, делитель напряжения, интегрирующий усилительный блок, измерительную емкость, дифференцирующий усилитель, блок индикации напряжений на полупроводнике и диэлектрике и их временных зависимостей. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента