G.D.Mansfeld, A.D.Freik, M.Mourey Characterization of losses in quartz resonator using electromagnetic wave reflection coefficient measurements, Proc. Of European Frequency and Time Forum EFTF-95, 8-10 March, 1995, Besancon, France, Actes Proc., p.20-23. МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ), МЕТОДИЧЕСКИЕ ДОПОЛНЕНИЯ КЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ 1 ЗАТУХАНИЕ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН В КРИСТАЛЛАХ. - М., 2006. RU 2005126996 A, 10.03.2007. US 4211105 A, 08.07.1980.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (RU), Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (RU)
Изобретатели:
Мансфельд Георгий Дмитриевич (RU) Алексеев Сергей Георгиевич (RU) Ползикова Наталья Ивановна (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (RU) Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при физических исследованиях механизмов затухания акустических волн в твердых телах и в технике при разработке и производстве акустических ВЧ и СВЧ резонаторов и фильтров. Способ измерения коэффициента затухания акустических волн в резонансной структуре и ее добротности основан на измерении частотной зависимости импеданса резонаторной структуры. При этом измеряют частотную зависимость мнимой части электрического импеданса структуры для выбранного номера обертона. Фиксируют положения экстремумов на измеренной зависимости. Вычисляют разность между частотами экстремумов fn(Imz). Затем вычисляют значение коэффициента затухания n и добротности Qn на частоте f n обертона с номером n. Технический результат - повышение точности измерения коэффициента затухания акустических волн в резонаторной структуре и ее добротности. 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента