|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ДИСТАНЦИОННОГО ИЗМЕРЕНИЯ НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА |  |
Номер публикации патента: 2234709 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01R027/26 G01N027/00 | | Аналоги изобретения: | Батавин В.В. и др. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. - М.: Радио и связь, 1982, с.89. SU 1774397 А1, 07.11.1992. RU 2094906 С1, 27.10.1997. SU 1694018 А1, 30.10.1994. US 6326220 А, 04.12.2001. US 3748579 А, 24.07.1973. US 5237266 А, 17.08.1993. DE 3103611 А, 09.09.1982. |
| Имя заявителя: | Дульбеев Валерий Аюшевич (RU) | | Изобретатели: | Дульбеев В.А. (RU) | | Патентообладатели: | Дульбеев Валерий Аюшевич (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области измерительной техники. Технический результат заключается в обеспечении локального дистанционного измерения на высоких частотах концентрации носителей тока. К линии с распределенными параметрами, длина которой равна нечетному числу четвертей длин волн высокочастотного сигнала, частоту которого устанавливают больше или меньше резонансной частоты, подключают полупроводниковый материал с известной концентрацией носителей тока.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента