Боуэн Д.К., Таннер Б.К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. - СПб.: Наука, 2002, с.72-77. RU 2256256 C1, 10.07.2005. SU 1035489 А1, 15.08.1983. SU 1389435 А1, 30.04.1990. JP 2000088775 А, 31.03.2000. JP 2000258364 A, 22.09.2000.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU)
Изобретатели:
Енишерлова-Вельяшева Кира Львовна (RU) Лютцау Александр Всеволодович (RU) Темпер Элла Моисеевна (RU) Колковский Юрий Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU)
Реферат
Использование: для контроля дефектности и упругой деформации в слоях полупроводниковых гетероструктур. Сущность: заключается в том, что с помощью рентгеновской дифрактометрии при использовании скользящего первичного рентгеновского пучка получают ассиметричное отражение от кристаллографических плоскостей, которые составляют наибольший угол с поверхностью интерфейса подложка-эпитаксиальный слой, и определяют деформации в эпитаксиальных слоях по изменению расстояния между интерференционными максимумами от эпитаксиального слоя и подложки, при этом используют однокристальную рентгеновскую дифрактометрию с квазипараллельным рентгеновским пучком с суммарной расходимостью и сходимостью пучка 12-24, получают максимальное отражение путем азимутального поворота гетероструктуры вокруг нормали к ее поверхности, причем угол падения рентгеновского пучка к поверхности находится в диапазоне 2,5-9°, затем производят корректировку брэгговского угла путем изменения угла падения первичного рентгеновского пучка на кристаллографическую плоскость, совпадающую с поверхностью гетероструктуры, до получения максимального отражения, и используя систему кристаллографических плоскостей, по которым происходил рост эпитаксиальных слоев, получают одновременное отражение от аналогичных систем кристаллографических плоскостей растущих эпитаксиальных слоев и подложки, в том числе фиксируя наличие переходного слоя между ними. Технический результат: расширение комплекса решаемых задач при исследовании гетероструктур. 2 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента