|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ НАНОСКОПИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ В СТРУКТУРЕ МАТЕРИАЛА |  |
Номер публикации патента: 2327976 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01N023/20 | | Аналоги изобретения: | SU 1673934 A1, 30.08.1991. SU 1363038 A1, 30.12.1987. SU 1312460 A1, 23.05.1987. JP 2002082073 A, 22.03.2002. JP 2001041908 A, 16.02.2001. |
| Имя заявителя: | Петербургский институт ядерной физики Б.П. Константинова РАН (RU),Земцов Александр Николаевич (RU),Огарышев Сергей Иванович (RU) | | Изобретатели: | Лебедев Василий Тимофеевич (RU)
Лебедев Виктор Михайлович (RU)
Земцов Александр Николаевич (RU)
Огарышев Сергей Иванович (RU) | | Патентообладатели: | Петербургский институт ядерной физики Б.П. Константинова РАН (RU)
Земцов Александр Николаевич (RU)
Огарышев Сергей Иванович (RU) |
Реферат | |
Использование: для определения наноскопических дефектов в структуре материала. Сущность: заключается в том, что на сухой исследуемый образец материала направляют пучок нейтронов и измеряют распределение интенсивности малоуглового рассеяния, причем при измерении распределения интенсивности малоуглового рассеяния от образца материала определенной массы используют пучок нейтронов с широким спектром по длинам волн, дополнительно погружают исследуемый образец сухого материала определенной массы в раст
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента