На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КРИВИЗНЫ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 2071049 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | G01N023/20 | Аналоги изобретения: | 1. Устинов В.М. и др. Макронапряжения в эпитаксиальных структурах на основе соединений А |
Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Изобретатели: | Скупов В.Д. | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Использование: рентгеноструктурный анализ кристаллов, в частности контроль остаточных механических напряжений и структурного совершенства полупроводниковых пластин-подложек, гомо- и гетерокомпозиций после различных технологических операций при изготовлении дискретных приборов и интегральных микросхем в твердотельной микроэлектронике.
|