МНОГОКАНАЛЬНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ АЛЬФА - ЧАСТИЦ В НЕЙТРОННОМ ГЕНЕРАТОРЕ СО СТАТИЧЕСКИМ ВАКУУМОМ И ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ НЕГО
RU 2247411 С1, 27.02.2005. RU 85679 U1, 10.08.2009. US 2009302226 А1, 10.12.2009. US 2007018110 A1, 25.01.2007.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Нейтронные технологии" (RU)
Изобретатели:
Быстрицкий Вячеслав Михайлович (RU) Замятин Николай Иванович (RU) Зубарев Евгений Валерьевич (RU) Сапожников Михаил Григорьевич (RU) Слепнёв Вячеслав Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Нейтронные технологии" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области измерения излучения физических частиц с помощью полупроводниковых детекторов и может быть использовано при создании многоэлементных детекторов заряженных частиц на основе полупроводниковых кристаллов. Технический результат - повышение надежности детектора и его чувствительности. Сущность изобретения заключается в том, что в многоэлементном полупроводниковом детекторе для регистрации альфа-частиц в нейтронном генераторе со статическим вакуумом, включающем корпус детектора, пластину полупроводникового кристалла, размещенную перпендикулярно потоку альфа-частиц, регистрирующие элементы с электрическими контактами и токоотводами, размещенные на обеих сторонах пластины полупроводникового кристалла, при этом пластина полупроводникового кристалла выполнена с возможностью размещения на обеих ее сторонах всех регистрирующих элементов с электрическими контактами и токоотводами, закреплена по периметру на керамической плате, в центральной части которой выполнено отверстие для попадания альфа-частиц на регистрирующие элементы; керамическая плата закреплена на корпусе, в котором также выполнено отверстие для попадания альфа-частиц на регистрирующие элементы; регистрирующие элементы сделаны в виде полос, выполненных на пластине полупроводникового кристалла методом ионного легирования, а электрические контакты выполнены методом напыления металла на регистрирующие элементы; при этом полосы регистрирующих элементов на одной стороне пластины полупроводникового кристалла параллельны друг другу и перпендикулярны направлению полос регистрирующих элементов на другой стороне пластины полупроводникового кристалла. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента