US 7619263 B2, 27.11.2009. JP 2006086227 A, 30.03.2006. US 2005099345 A1, 12.05.2005. US 2004201076 A1, 14.10.2004. US 5729017 A, 17.03.1998. RU 2325729 C1, 27.05.2008.
Имя заявителя:
КЭНОН КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP)
Изобретатели:
ОУТИ Тосихико (JP)
Патентообладатели:
КЭНОН КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP)
Приоритетные данные:
02.03.2010 JP 2010-044838
Реферат
Предложенный оптический элемент включает в себя полупроводниковый слой, имеющий ширину запрещенной энергетической зоны, превышающую энергию фотонов света, и множество электродов в электрическом контакте с полупроводниковым слоем. По меньшей мере, один из электродов образует барьер Шотки между электродом и полупроводниковым слоем, причем этот барьер Шотки имеет высоту барьера, меньшую, чем энергия фотонов света. По меньшей мере, часть переходной поверхности между электродом, который образует барьер Шотки, и полупроводниковым слоем включает в себя облучаемую светом поверхность, расположенную с возможностью облучения светом с поверхности полупроводникового слоя без электродов, и участок обеспечивающей взаимодействие структуры, выполненной с возможностью взаимодействия с терагерцевой волной, которая генерируется или обнаруживается посредством облучения светом. Изобретение обеспечивает возможность повышения эффективности генерирования терагерцевых волн. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 2 пр., 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента