Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" (RU)
Изобретатели:
Кировская Ираида Алексеевна (RU) Новгородцева Любовь Владимировна (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака и других газов. Полупроводниковое основание выполнено из наноразмерной пленки антимонида галлия, легированного теллуридом цинка. Подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика и технологичности его изготовления. 1 ил.