RU 2161240 С2, 27.12.2000. SU 1472642 A1, 15.04.1989. RU 2175049 С1, 20.10.2001. RU 2034978 С1, 10.05.1995. US 4924942 А, 15.05.1990.
Имя заявителя:
Управляющая компания Общество с ограниченной ответственностью "ТАТНЕФТЬ-БУРЕНИЕ" УК ООО "ТН-Бурение" (RU)
Изобретатели:
Студенский Михаил Николаевич (RU) Вакула Андрей Ярославович (RU) Гимазов Эльнур Нургалеевич (RU) Загрутдинов Дамир Агнутдинович (RU) Кашапов Сайфутдин Авзалович (RU) Шаяхметов Азат Шамилевич (RU)
Патентообладатели:
Управляющая компания Общество с ограниченной ответственностью "ТАТНЕФТЬ-БУРЕНИЕ" УК ООО "ТН-Бурение" (RU)
Реферат
Изобретение относится к бурению нефтяных и газовых скважин, а именно к изоляции водопроявляющих или поглощающих пластов, преимущественно, когда в пластовой жидкости присутствует растворенный сероводород. Способ включает спуск колонны бурильных труб с открытым концом в скважину до подошвы водопроявляющего пласта, закачивание через нее тампонажного раствора, содержащего цемент, двуокись марганца, ускоритель твердения тампонажного раствора и воду, с последующим образованием цементного моста напротив водопроявляющего пласта. При этом сначала определяют приемистость пласта и исследуют пластовую воду на наличие сероводорода и его количественное содержание и с учетом полученных данных приготавливают необходимый объем тампонажного раствора с добавлением дополнительно понизителя водоотдачи из расчета 0,1-0,3 мас.% от сухого цемента. При этом двуокись марганца добавляют из расчета не менее 2 кг на 1 тонну цемента. После продавки тампонажного раствора в пласт в период его начала загустевания на него циклически воздействуют давлением, не превышающим давления гидроразрыва выше расположенного пласта, причем перед закачкой тампонажного раствора пластовую воду оттесняют в глубь пласта буферной жидкостью с добавлением двуокиси марганца из расчета не менее 1 кг на 1,0 м3 буферной жидкости и наполнителя с водоотталкивающим действием из расчета 0,5-1 кг на 1 м3 буферной жидкости. Технический результат - повышение надежности создаваемого изоляционного экрана, повышение качества изоляции. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.