|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД ИЗ II - YI СОЕДИНЕНИЯ ДЛЯ ГЕНЕРИРОВАНИЯ ЛУЧА СВЕТА |  |
Номер публикации патента: 94046120 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94046120 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Миннесота Майнинг энд Мануфакчуринг Компани (US) | | Изобретатели: | Хва Ченг[US]
Джеймс М.Депюи[US]
Юн Кью[US]
Майкл А.Хаазе[US] | | Номер конвенционной заявки: | 07/887,468 | | Страна приоритета: | US | | Патентный поверенный: | Матвеева Н.А. |
Реферат | |
Одиночный П-V1 лазерный диод без полупроводниковых покрывающих слоев включает в себя p - n-переход, образованный перекрывающимиcя световодными слоями 14, 16 p-типа и n-типа ZnSe на GaAs подложке n- типа. Между направляющими слоями расположен CdSe/ZnSe одиночный активный слой 12 с квантовой ямой деформированной сверхрешетки с коротким периодом. Электрод 24 покрывает направляющий слой p-типа напротив одиночного активного слоя с квантовой ямой. Направляющие слои имеют толщину, которая дает возможность подложке и электроду 24 удерживать световой луч, генерируемый прибором, внутри активного слоя и направляющих слоев.
|
Поиск патентов