Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР ДАЛЬНЕГО ИК - ДИАПАЗОНА НА ГОРЯЧИХ НОСИТЕЛЯХ

Номер публикации патента: 2022431

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 5050783 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01S003/085    
Аналоги изобретения: 1. Андронов А.А. и др. Внешняя брегговская селекция в полупроводниковом лазере на горячих дырках в германии. Квантовая электроника, 1990, 17, с.1303-1305. 

Имя заявителя: Демиховский Сергей Валерьевич 
Изобретатели: Демиховский Сергей Валерьевич
Муравьев Андрей Валериевич
Павлов Сергей Геннадьевич
Шастин Валерий Николаевич 
Патентообладатели: Демиховский Сергей Валерьевич
Муравьев Андрей Валериевич
Павлов Сергей Геннадьевич
Шастин Валерий Николае 

Реферат


Использование: лазерная техника дальнего ИК-диапазона, спектроскопия твердого тела, плазма газов и т.д. Сущность изобретения: в полупроводниковом лазере дальнего ИК-диапазона на горячих носителях, содержащем активный элемент 1 в виде бруска из германия p-типа проводимости, установленном в резонаторе, образованном сферическим металлическим полупрозрачным выходным зеркалом 2 на оптически прозрачной подложке и глухим металлическим зеркалом 3, установленным с возможностью перемещения вдоль оптической оси лазера на расстояние, кратное половине генерируемой длины волны излучения от дифракционной решетки 5, установленной между активным элементом 1 и глухим зеркалом 3 на оптически прозрачной подложке 4, боковые грани активного элемента 1 и обеих оптически прозрачных подложек выполнены рассеивающими излучение, а диаметр d полупрозрачного выходного зеркала 2 связан с его радиусом кривизны R и длиной резонатора L расчетным соотношением. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"