|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР |  |
Номер публикации патента: 1319767 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01S003/19 | | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР N 181737, кл. H 01 S 3/19, 1963. Богданкевич О.В. и др. Полупроводниковые лазеры. М.: Наука, 1976, 3.2. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Миронов Б.Н.
Филипченко В.Я.
Хазанов А. |
Реферат | |
Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при разработке и производстве полупроводниковых источников излучения, преимущественно инжекционных лазеров. Цель изобретения - уменьшение порогового тока накачки и повышение его воспроизводимости . Цель достигается выполнением поверхности подложки под углом к кристаллографической плоскости (001). При этом положение поверхности подложки относительно кристаллографических плоскостей определяется соотношением 0≅ (tgv2/tgv1) < 103/rL, где v1- угол между направлением [001] и проекцией нормали к поверхности подложки на плоскость резонаторной грани (001); v2, - угол между направлением [001] и проекцией нормали к поверхности подложки на плоскость (110), перпендикулярную плоскости резонаторной грани; r - плотность террас роста на 1 мм длины подложки; L - расстояние между гранями резонатора.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента