RU 2007739 С1, 15.02.1994. US 6184048 В1, 06.02.2001. DE 4325320 А1, 21.04.1994. RU 2253168 С1, 27.05.2005.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский Государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" (RU)
Изобретатели:
Зубков Василий Иванович (RU) Кучерова Ольга Владимировна (RU) Яковлев Илья Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский Государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых структур, а также для анализа структур, оказавшихся у потребителя. Способ включает приложение к образцу напряжения смещения и переменного напряжения тестового сигнала, измерение зависимостей емкости и проводимости образца от последовательностей первого электрического параметра при каждом значении из последовательности второго электрического параметра при ряде значений температуры образца и определение параметров структуры с использованием полученных зависимостей, при этом в качестве первого электрического параметра используют частоту напряжения тестового сигнала, а в качестве второго - напряжение смещения. Технический результат заключается в повышении точности. 6 ил.