US 7358574 В2, 15.04.2008. SU 1389603 А1, 07.03.1993. RU 2217844 С2, 27.11.2003. US 6569766 В1, 27.05.2003. US 6110818 А, 29.08.2000. US 5365111 А, 15.11.1994.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации (Минобороны России) (RU), Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН) (RU)
Изобретатели:
Бабкин Сергей Иванович (RU) Демин Сергей Васильевич (RU) Цимбалов Андрей Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации (Минобороны России) (RU) Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем на основе комплементарных транзисторов со структурой металл - окисел - полупроводник (КМОП ИС). Изобретение обеспечивает сохранение электрофизических и конструктивных параметров активных и пассивных элементов в интегральных схемах на основе комплементарных транзисторов со структурой металл - окисел - полупроводник при формировании силицида титана. Сущность изобретения: способ получения локальных низкоомных областей силицида титана в интегральных схемах заключается в формировании активных и пассивных элементов КМОП ИС на основе областей n и р типа проводимости в кремниевой подложке и слое поликристаллического кремния, осаждении блокирующего слоя, формировании фоторезистивной маски, травлении блокирующего слоя, удалении фоторезистивной маски, очистке поверхности кремния, нанесении слоя титана на поверхность кремния и блокирующего слоя, отжиге слоя титана в азоте, удалении не прореагировавшего с кремнием титана и дополнительно отжиге в азоте. В качестве блокирующего слоя используют пленку нитрида титана толщиной 5-20 нм, полученную путем физического распыления титановой мишени в атмосфере азота, а блокирующий слой удаляют в процессе удаления не прореагировавшего с кремнием титана. 5 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента