|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ЛЕЧЕНИЯ ДЕТЕЙ, ОПЕРИРОВАННЫХ ПО ПОВОДУ СКОЛИОЗА |  |
Номер публикации патента: 2357769 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | A61N002/08 | | Аналоги изобретения: | RU 2238114 C1, 20.10.2004. МОРГУН В.А. Применение интерференционных токов при сколиозе у детей. - Вопросы курортологии, физиотерапии и лечебной физической культуры, 2005, |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное учреждение "Российский научный центр восстановительной медицины и курортологии Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию РФ" (ФГУ "РНЦВМиК РОСЗДРАВА") (RU),Государственное учреждение "Детская городская клиническая больница | | Изобретатели: | Разумов Александр Николаевич (RU)
Хан Майя Алексеевна (RU)
Попов Владимир Васильевич (RU)
Тарасов Николай Иванович (RU)
Гольцева Ольга Львовна (RU)
Тарасова Лариса Юрьевна (RU)
Крестьяшин Владимир Михайлович (RU)
Подгорная Ольга Владимировна (RU)
Битокова Лиана Леонидовна (RU)
Шляпникова Наталья Станиславовна (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное учреждение "Российский научный центр восстановительной медицины и курортологии Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию РФ" (ФГУ "РНЦВМиК РОСЗДРАВА") (RU)
Государственное учреждение "Детская городская клиническая больница |
Реферат | |
Изобретение относится к области медицины, в частности к педиатрии, а именно к ортопедии, и может быть использовано в лечебно-оздоровительных учреждениях для лечения детей, больных сколиозом. Способ заключается в том, что на ребенка, прооперированного по поводу сколиоза 3-4 степени, воздействуют импульсным магнитным полем с интенсивностью 800-900 мТл, интервалами между импульсами от 120 до 180 мс, 4 импульса в посылке, продолжительностью 9 минут с каждой стороны, на курс 10-12 процедур ежедневно.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента