На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ПРЕДПОСЕВНОЙ ОБРАБОТКИ СЕМЯН | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 2090031 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | A01C001/00 | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР N 1814494, кл. A 01 С 1/00, 1993. |
Имя заявителя: | Василенко Владимир Федорович | Изобретатели: | Василенко Владимир Федорович | Патентообладатели: | Василенко Владимир Федорович |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
\\1 Использование: сельское хозяйство в области растениеводства и может быть применено в семеноводстве. Сущность изобретения: способ предусматривает совместное непрерывное воздействие на семена потоками излучения в красной и инфракрасной областях спектра. Поток излучения в инфракрасном диапазоне формируют с длиной волны от 900 до 980 нм (с максимумом интенсивности потока излучения при длине волны 940 нм) с объемной плотностью от 1,0 до 10 Вт/м2. А воздействие в красной области осуществляют с длиной волны 600-720 нм (с максимумом интенсивности потока излучения при длине волны 600-670 нм) и при соотношении плотностей потоков излучения в красной и инфракрасной областях, соответственно, (5-10):1 в течение 60-360 сек. Устройство, реализующее способ предпосевной обработки семян, включает корпус 1, раму 2, источники излучения 3, 4, соответственно, в красной и инфракрасной областях спектра, блок питания и площадку 6 для размещения облучаемых семян. Для засыпки семян применен бункер 7. Устройство имеет стойку 8 и систему 9 для перемещения рамы 2 в вертикальном направлении. В качестве излучателей 3, 4 могут быть применены светодиоды, изготовленные на основе твердого раствора галий-алюминий-мышьяк, со следующим соотношением компонентов: As - 30%, а [Ga+Al] - остальное либо выполнены на основе твердого раствора фосфида галия. Инфракрасные светодиоды могут быть изготовлены на основе арсенида галия. В качестве источников 3, 4 излучения могут быть использованы также диодные лазеры. Применение изобретения обеспечивает повышение энергии прорастания, всхожести семян и силы роста растений при одновременном подавлении грибной инфекции, а также позволяет повысить эффективность, упростить и удешевить конструкции при одновременном уменьшении энергозатрат при ее эксплуатации. 2 з.п. ф-лы, 4 табл. 4 ил.
|