|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ОБЛЕГЧЕННЫЙ ТАМПОНАЖНЫЙ РАСТВОР |  |
Номер публикации патента: 2151267 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | E21B033/138 | | Аналоги изобретения: | SU 1573141 A1, 23.06.1990. SU 1765366 A1, 30.09.1992. SU 1802087 A1, 15.03.1993. SU 1802089 A1, 15.03.1993. SU 1805209 A1, 07.01.1985. SU 1838582 A3, 30.08.1993. SU 133379 A1, 07.01.1985. RU 2013525 C1, 30.06.1994. RU 2026959 C1, 20.01.1995. US 4305758 A, 15.12.1981. US 3782985 A, 01.01.1974. Данюшевский В.С., Алиев Р.М. и др. Справочное руководство по тампонажным материалам. - М.: Недра, 1987, с.117. |
| Имя заявителя: | Тюменский научно-исследовательский и проектный институт природного газа и газовых технологий "ТюменНИИгипрогаз" | | Изобретатели: | Щербич Н.Е.
Крылов Г.В.
Штоль В.Ф.
Карелина Н.Е.
Фролов А.А.
Полубабкин В.А.
Сандаков А.В. | | Патентообладатели: | Тюменский научно-исследовательский и проектный институт природного газа и газовых технологий "ТюменНИИгипрогаз" |
Реферат | |
Изобретение относится к тампонажным растворам, используемым при цементировании обсадных колонн газовых, газоконденсатных или нефтяных скважин, осложненных наличием слабосвязанных, склонных к гидроразрыву пород. Облегченный тампонажный раствор содержит ингредиенты в следующем соотношении, мас. %: портландцемент тампонажный 38,89-58,07; алюмосиликатные полые микросферы 6,45-17,14; глинопорошок 0,71-1,78; вода остальное. При затворении тампонажного раствора с облегчающей добавкой - алюмосиликатными полыми микросферами на глинистой суспензии, содержащей глинопорошок и воду, достигается технический результат - снижение плотности тампонажного раствора до 1,25 г/см3 при одновременном увеличении растекаемости раствора, улучшении седиментационной устойчивости и обеспечении остальных технологических параметров раствора и камня. 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента