BY 8569 C1, 30.10.2006. Но Won Jang et all. Low-Resistance, High-Transparency, and Thermally Stable Ohmic Contacts on p-Type GaN Using Ru and Ir. Phys. Stat. Sol. (c). 2002. 1. P.227-230. RU 2315389 C1, 20.01.2008. TW 227519 В, 01.02.2005. KR 20040072282 A, 18.08.2004.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН (ИОНХ РАН) (RU), Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)" (МИРЭА) (RU)
Изобретатели:
Беспалов Алексей Викторович (RU) Евдокимов Анатолий Аркадьевич (RU) Кецко Валерий Александрович (RU) Стогний Александр Иванович (BY)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН (ИОНХ РАН) (RU) Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)" (МИРЭА) (RU)
Реферат
Изобретение относится к способу изготовления контактной структуры BeO/Au/BeO/p-GaN для оптоэлектронных приборов, таких как светоизлучающие диоды, детекторы излучения, лазеры, а также для устройств спинтроники. Сущность изобретения: в способе изготовления прозрачной омической контактной структуры BeO/Au/BeO/p-GaN, предусматривающем ионно-плазменную очистку поверхности эпитаксиального слоя p-GaN с последующим нагреванием поверхности до температуры 350-370°С и нанесением омического контакта, состоящего из слоя ВеО с проводимостью р-типа толщиной от 2.8 до 3.2 нм, слоя золота толщиной от 3.8 до 4.2 нм и второго слоя ВеО толщиной от 3.0 до 4.0 нм, после ионно-плазменной очистки и перед нанесением первого слоя ВеО на поверхность нагретого эпитаксиального слоя p-GaN наносят, а затем удаляют слой оксида алюминия толщиной не менее 30% от толщины эпитаксиального слоя p-GaN. Изобретение обеспечивает минимизацию дефектов ростовой структуры и связанное с ней увеличение термической стабильности прозрачной контактной структуры BeO/Au/BeO/p-GaN. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента