RU 2396655 С1, 10.08.2010. WO 99/14809 А1, 25.03.1999. US 6697412 B2, 24.02.2004. GB 2358959 A, 08.08.2001. TW 494577 В, 11.07.2002.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН) (RU)
Изобретатели:
Галиев Галиб Бариевич (RU) Васильевский Иван Сергеевич (RU) Климов Евгений Александрович (RU) Пушкарёв Сергей Сергеевич (RU) Рубан Олег Альбертович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковым метаморфным наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями. Техническим результатом изобретения является уменьшение плотности дислокаций, проникших в активную область наногетероструктуры. Сущность изобретения: в полупроводниковой метаморфной наногетероструктуре, включающей монокристаллическую полуизолирующую подложку GaAs, сверхрешетку Al0.4Ga 0.6As/GaAs, метаморфный буфер InxAl1-х As с линейным увеличением содержания InAs х по толщине (x=x 1х4, где x1~0, х40.75), инверсный слой InxAl1-хAs с плавным либо скачкообразным уменьшением содержания InAs х по толщине (х=х4х4', где х4'-х4 =0.05÷0.1, х4'>0.7), залечивающий слой с однородным составом InxAl1-xAs, активную область InAlAs/InGaAs с высоким содержанием InAs, согласованную по параметру решетки с залечивающим слоем, внутрь метаморфного буфера вводятся две механически напряженные сверхрешетки In (x2+x)Al1-(x2-x)As/In(x2-x)Ga1-(x2-x)As и In(x3+x)Al1-(x3+x)As/In(x3-x)Ga1-(x3-x)As, симметрично рассогласованные на х=0.05÷0.10 относительно текущего состава метаморфного буфера в данных точках, которые делят метаморфный буфер на три части, в каждой из которых содержание InAs х по толщине увеличивается соответственно от x1 до х2, от х2 до х3 и от х3 до х4, где 0.4<х 2<0.6, а 0.6<х3<0.75. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента