На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ НАНОСТРУКТУРА С КОМПОЗИТНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ | |
Номер публикации патента: 2278072 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | B82B001/00 | Аналоги изобретения: | RU 2022411 C1, 30.10.1994. US 5238868 A, 24.08.1993. US 5239186 A, 24.08.1993. EP 0426647 A1, 08.05.1991. |
Имя заявителя: | Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина (РГПУ) (RU) | Изобретатели: | Кадушкин Владимир Иванович (RU) | Патентообладатели: | Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина (РГПУ) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к физике полупроводников, в частности к полупроводниковым наноструктурам с квантовыми ямами, и может быть использовано для реализации мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковая наноструктура содержит квантовую яму с двумерным электронным газом, выполненную в виде слоя узкозонного полупроводника i-GaAs с запрещенной зоной Eg1 толщиной d1 и уровнями размерного квантования Em1 - основным и Ер1 - возбужденным, заключенного между двумя слоями полуп
|