US 4925701 A, 15.05.1990. RU 2149217 C1, 20.05.2000. BY 11387 C1, 30.12.2008. JP 08-109475 A, 30.04.1996. JP 04-116198 A, 16.04.1992.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт прикладной физики РАН (RU)
Изобретатели:
Вихарев Анатолий Леонтьевич (RU) Чернов Валерий Валерьевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт прикладной физики РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к начальной стадии технологии осаждения алмазных пленок и может быть использовано для подготовки плоских подложек из различных материалов для дальнейшего осаждения на них однородных нанокристаллических алмазных пленок. Проводят подготовку суспензии наноалмазного порошка в спиртосодержащей жидкости, наносят суспензию наноалмазного порошка в спиртосодержащей жидкости на поверхность подложки, вращают подложку для равномерного распределения суспензии наноалмазного порошка в спиртосодержащей жидкости и ускорения испарения жидкой части суспензии. Предварительно подложку очищают, при подготовке суспензии используют порошок алмазных наночастиц с размерами в диапазоне от 5 до 100 нм. Перед нанесением суспензии наноалмазного порошка в спиртосодержащей жидкости на подложку на ее поверхность наносят тонкий слой спиртосодержащей жидкости, которая должна покрывать поверхность полностью. Нанесение суспензии наноалмазного порошка в спиртосодержащей жидкости проводят непосредственно на тонкий слой спиртосодержащей жидкости, покрывающей подложку, так, чтобы суспензия покрывала всю поверхность подложки. Количество наносимой на подложку суспензии выбирают исходя из равенства массы наноалмазного порошка в суспензии и массы равномерного слоя наноалмазного порошка на подложке толщиной от одного до трех средних размеров алмазных наночастиц в суспензии и концентрации по массе наноалмазного порошка в спиртосодержащей жидкости - в диапазоне от 0,01% до 8%. Обеспечивается высокая плотность и однородность центров роста алмаза на поверхности неалмазных подложек с диаметром до 100 мм и более. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента