Маишев Ю.П. Источники ионов и ионно-лучевое оборудование для нанесения и травления материалов. - Вакуумная техника и технология. 1992, т.2, 4, с.53-58. Маишев Ю.П. Источники ионов для реактивного ионно-лучевого травления и нанесения пленок. - Электронная промышленность, 1990, 5, с.15-18. Maishev Y., Ritter J., Terentiev Y., Velikov
Имя заявителя:
Российская академия наук Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН (ФТИАН) (RU)
Изобретатели:
Маишев Юрий Петрович (RU) Шевчук Сергей Леонидович (RU) Терентьев Юрий Петрович (RU)
Патентообладатели:
Российская академия наук Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН (ФТИАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике, к технологии изготовления наноструктур размером <30 нм при травлении через резистивную маску с высоким аспектным отношением. Способ ионно-лучевой обработки включает обработку диэлектрических материалов химически активными или инертными заряженными частицами, ускорение которых осуществляют в источнике ионов. Причем обработку диэлектрических материалов проводят пучком положительных ионов одновременно с подачей на подложку ВЧ смещения. Технический результат изобретения заключается в нейтрализации положительного заряда на всей площади диэлектрической поверхности структур, в снижении влияния заряженных частиц на параметры обрабатываемых изделий, в повышении разрешения минимальных размеров их элементов и в осуществлении травления материалов с высоким аспектным отношением. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента