ЕР 1541960 А2, 15.06.2005. RU 2146827 C1, 20.03.2000. US 7363099 B2, 22.04.2008. US 6698009 В1, 24.02.2004. US 6609086 В1, 19.08.2003. WO 03/054475 А2, 03.07.2003. KR 100835482 В1, 04.06.2008.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" (СПбГЭТУ) (RU)
Изобретатели:
Усикова Мария Александровна (RU) Лучинин Виктор Викторович (RU) Сазанов Александр Петрович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" (СПбГЭТУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к микро- и нанотехнологии и может быть использовано для неразрушающего исследования топологии интегральных микросхем. Сущность изобретения: способ контроля интегральной микросхемы (ИМС) предусматривает формирование ее физической модели в полупроводниковой структуре «кремний-на-изоляторе», тыльная поверхность которой выполнена прозрачной для инфракрасного излучения с последующим исследованием топологии ИМС с тыльной поверхности структуры «кремний-на-изоляторе» в инфракрасном диапазоне длин волн от 940 до 1050 нм под микроскопом, оснащенным фотоприемником на основе ПЗС матрицы. Возможно проведение исследования модели, подключенной к источнику электрического питания. Технический результат - повышение информативности контроля при неразрушающем контроле ИМС. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента