SU 1655929 A1, 15.06.1991. RU 2004037 C1, 30.11.1993. RU 2072585 C1, 27.01.1997. RU 2110115 C1, 27.04.1998. US 4981551 A, 01.01.1991.
Имя заявителя:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ЮФУ) (RU)
Изобретатели:
Авдеев Сергей Петрович (RU) Агеев Олег Алексеевич (RU) Гусев Евгений Юрьевич (RU) Коноплев Борис Георгиевич (RU) Светличный Александр Михайлович (RU) Чередниченко Дмитрий Иванович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ЮФУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области электронной промышленности и может быть использовано в технологии микро- и наноэлектроники для получения атомарно-гладких поверхностей и совершенных эпитаксиальных структур на разориентированных поверхностях образцов. Сущность изобретения: в способе подготовки поверхности бинарных и многокомпонентных материалов на подготовленную поверхность образца наносят рабочий слой толщиной 1÷150 мкм, включающий не менее одного компонента, где, по крайней мере, один из компонентов в состоянии жидкой фазы растворяет материал образца, при этом компоненты рабочего слоя подбирают с такими температурными коэффициентами расширения, при которых не происходит разрушение образца в течение технологического процесса, а также легко удаляются с поверхности образца и не оставляют трудноудаляемый шлам, образец подогревают в вакууме при давлении не более 5·10-3 Па до температуры (0,8·Тп±50)°С (Тп - температура пластичности материала образца), выдерживают 2-5 мин и обрабатывают ленточным параксиальным энергетическим лучом при удельной мощности (1,0-20,0)·104 Вт/см2, скорости 5-100 см/с, охлаждают до комнатной температуры и удаляют рабочий слой с поверхности образца. Изобретение обеспечивает получение атомарно-гладкой и структурированной поверхностей, сокращение длительности технологического процесса обработки. 3 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента