|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ ФОТОННОГО КРИСТАЛЛА НА ОСНОВЕ SiO |  |
Номер публикации патента: 2296100 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | B82B003/00 | | Аналоги изобретения: | А.Н.Захаров, Н.И.Юрасов, Е.А.Ганьшина и др. Неорганические материалы, 2005, т.41, №11, с.1185. В.Н.Богомолов, Н.Ф.Картенко и др. Физика твердого тела, 1998, т.40, вып.3, с.573-576. JP 2001072414 A, 21.03.2001. JP 2004109947 А, 08.04.2004. |
| Имя заявителя: | Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (RU) | | Изобретатели: | Захаров Александр Николаевич (RU)
Майорова Алла Федоровна (RU)
Перов Николай Сергеевич (RU) | | Патентообладатели: | Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (RU) |
Реферат | |
Способ относится к области модификации пористых носителей, и в частности фотонных кристаллов на основе SiO2, фазами включения из ферромагнитных металлов или их оксидов. Модифицированные таким образом носители могут быть использованы в функциональной электронике, для создания различного типа магнитооптических систем записи информации, в качестве чувствительных элементов датчиков слабых магнитных полей и т.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента