RU 2373610 C1, 20.11.2009. RU 2343591 C1, 10.01.2009. RU 2275714 C1, 27.04.2006. US 2009/02337989 A1, 17.09.2009. US 6344659 B1, 05.02.2002.
Имя заявителя:
Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова (RU)
Изобретатели:
Карминская Татьяна Юрьевна (RU) Куприянов Михаил Юрьевич (RU) Рязанов Валерий Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова (RU)
Реферат
Изобретение относится к криоэлектронным приборам и может быть использовано в измерительной технике, радиотехнических и информационных системах, работающих при низких температурах. Сущность изобретения: сверхпроводящий прибор с джозефсоновским переходом включает образованную на подложке область слабой связи в виде тонкопленочной слоистой структуры, содержащей слои ферромагнитного материала и нормального металла, и два электрода из сверхпроводникового материала с токоподводами для подключения области слабой связи к источнику тока, и представляет собой планарную структуру, в которой электроды из сверхпроводникового материала с токоподводами размещены поверх слоя нормального металла с возможностью наведения сверхпроводящих корреляций из области нормального металла под электродом в область слабой связи, при этом слой ферромагнитного материала присоединен к нормальному металлу с возможностью наведения в нем сверхпроводящих корреляций непосредственно из слоя нормального металла. Технический результат изобретения состоит в увеличении амплитуды критического тока перехода, возможности более эффективного управления величиной критического тока в случае наличия в структуре двух ферромагнитных подслоев с разными направлениями намагниченности при более простой технологии выполнения планарных многослойных структур. 14 з.п. ф-лы, 11 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента