Surma A.M. et al. Fast High Power Switch - Emitter commutated thyristor. - Conf. Proc. PEVD 98. - London, 1998, p.p.242-245. RU 2268545 C2, 20.01.2006. RU 2199795 C2, 27.02.2003. WO 9917374 A1, 08.04.1999. EP 1017103 A, 05.07.2000.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский Электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) (RU)
Изобретатели:
Сурма Алексей Маратович (RU) Приходько Анна Ивановна (RU) Рябов Михаил Александрович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский Электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к силовому полупроводниковому приборостроению и может использоваться при создании мощных полностью управляемых гибридных ключей. Техническим результатом изобретения является создание мощного гибридного ключа на силовом запираемом тиристоре с каскодным МОП-драйвером в одном таблеточном корпусе. Сущность изобретения: в силовом полупроводниковом приборе, содержащем силовой запираемый тиристор и каскодный МОП-драйвер, кристаллы силового запираемого тиристора и МОП-транзисторов помещены в один таблеточный корпус, а в качестве теплопроводящих электроизолирующих слоев используются нанокристаллические алмазные пленки, получаемые газофазным синтезом или плазменно-газофазным синтезом. В качестве МОП-транзисторов могут использоваться группы параллельно соединенных кристаллов, равномерно расположенных вокруг кристалла запираемого тиристора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента