NORMAN A.G., HANNA M.C., DIPPO P., LEVI D.H., REEDY R.C., WARD J.S., Al-JASSIM M.M. InGaAs/GaAs QD Superlattices: MOVPE Growth, Structural and Optical Characterization, and Application in Intermediate-Band Solar Cells. IEEE, 2005, p.43-48. RU 2336596 C1, 20.10.2008. RU 2308122 C1, 10.10.2007. WO 2008099039 A2, 21.08.2008. JP 2008182226 A, 07.08.2008. WO 2007131126 A2, 15.11.2007. US 6444897 B1, 03.09.2002.
Имя заявителя:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU)
Изобретатели:
Паханов Николай Андреевич (RU) Никифоров Александр Иванович (RU) Пчеляков Олег Петрович (RU) Чикичев Сергей Ильич (RU) Якимов Андрей Иннокентьевич (RU)
Патентообладатели:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU)
Реферат
Согласно изобретению между контактными слоями солнечного элемента расположена диодная структура. В диодной структуре последовательно сформированы базовый поглощающий слой полупроводника заданного типа проводимости, многослойная структура из слоев нанообъектов из материала с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем у базового материала, и слоев базового материала (спейсеров), разделяющих слои нанообъектов, и слой полупроводника с типом проводимости, отличным от заданного. Контактные слои изготовлены сплошными, из Al, многократно отражающими излучение, подаваемое в солнечный элемент под углом к плоскости контактных слоев. Также предложен второй вариант выполенния солнечного элемента - могоэлементый многослойный солнечный элемент. За счет многократного отражения поглощаемого излучения контактными слоями увеличивается оптический путь фотонов, повышается возможность их поглощения и, в конечном счете, увеличивается КПД. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента