US 5599464 А, 04.02.1997. US 6016684 А, 25.01.2000. US 6146541 А, 14.11.2000. US 6218264 В1, 17.04.2001. WO 9908065 А1, 18.02.1999. DE 10236150 A1, 26.02.2004. RU 2095761 C1, 10.11.1997.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Изобретатели:
Щеглов Дмитрий Владимирович (RU) Косолобов Сергей Сергеевич (RU) Родякина Екатерина Евгеньевна (RU) Латышев Александр Васильевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии подложку кремния с вицинальной поверхностью помещают в вакуум и проводят термоэлектрический отжиг, формируя на поверхности подложки моноатомные ступени, разделенные широкими террасами с первоначальной поверхностной реконструкцией, затем подложку охлаждают, формируя на террасах субатомные ступени за счет образования соседствующих областей поверхности подложки со сверхструктурной реконструкцией и областей, не подвергшихся сверхструктурной реконструкции, но и не оставшихся в состоянии первоначальной поверхностной реконструкции, равномерно распределенных по поверхности подложки, а уровень вакуума поддерживают обеспечивающим выход атомов материала подложки в вакуум при термоэлектрическом отжиге. Изобретение обеспечивает воспроизводимость измерений, повышение точности определения высоты особенностей рельефа, снижение погрешности измерений, снижение высоты калибровочного эталона. 13 з.п. ф-лы, 8 ил.