RU 2282263 С2, 20.08.2006. RU 2032966 С1, 10.04.1995. RU 1632311 С, 27.01.1995. DE 102004013305 А1, 29.09.2005. US 53342292 А, 02.08.1994. WO 2005/069927 А2, 04.08.2005. WO 2004/054924 А1, 01.07.2004. ЕР 1246205 А1, 02.10.2002. CN 1367273 А, 04.09.2002.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU), Хартов Станислав Викторович (RU), Неволин Владимир Кириллович (RU)
Изобретатели:
Хартов Станислав Викторович (RU) Неволин Владимир Кириллович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU) Хартов Станислав Викторович (RU) Неволин Владимир Кириллович (RU)
Реферат
Изобретение относится к функциональным элементам и материалам электроники и может быть применено как на уровне отдельных молекулярных проводников, играющих роль активных или пассивных элементов электроники, так и на макроскопическом уровне, например, в виде проводящего композитного материала. Сущность изобретения: в проводящей молекулярной структуре, включающей диэлектрическую матрицу и проводящий наполнитель, молекулы, как минимум, одной из компонент диэлектрической матрицы имеют состав и структуру, обеспечивающие возможность внутримолекулярного электронного транспорта, проводящий наполнитель представляет собой проводящие частицы или электроды, протяженность которых, как минимум, в одном измерении соответствует нанометровому диапазону, концентрация частиц проводящего наполнителя обеспечивает отсутствие их перколяции, вследствие чего частицы отделены друг от друга зазорами, частицы электрически соединены друг с другом молекулярными проводниками. Техническим результатом изобретения является повышение проводимости композитного материала, уменьшение концентрации наполнителя и расширение функциональных возможностей получаемого материала, а также расширение возможностей способа получения молекулярных структур за счет расширения средств создания электрического поля. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.