В данном разделе представлена краткая информация о технологии.

Для получения полной информации о технологии, ее разработчиках и производителях, Вам необходимо сделать Заказ (Нажмите на корзинку). После оплаты счета, который Вы получите автоматически, на Ваш email будут отправлены реквизиты предприятия, представившего данную информацию на нашем сайте.

Вернуться в каталог

Информация о технологии

Коды ГРНТИ:  470900  Наименование:  СТРУКТУРЫ КРЕМНИИ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ (КНИ)  Дата регистрации:  29.06.2006  Область применения:  ЯДЕРНАЯ ФИЗИКА		Сделать заявку на получение справки о разработчике технологии

Описание

с монокристаллической пластины кремния на окисленную

подложку путем термокомпрессии пластин с расслоением по

глубине проникновения имплантированных ионов водорода

Основные параметры КНИ

Толщина отсеченного слоя кремния - от 1.0 мкм, вплоть до нескольких десятков ангстрем

Ориентация отсеченного слоя кремния - (100)

Разброс по толщине отсеченного слоя на пластине диаметром 100 мм не превышает 50LJ

Толщина захороненного диэлектрика - 0.1 0.4 мкм (не имеет принци¬пиальных ограничений и определяется заказчиком)

Пробивные напряжения для толщины диэлектрика 0.4мкм составляет 100В

Совершенство отсеченного слоя кремния определяется совершенством исходной монокристаллической пластины. Данный метод создания КНИ согласно мнению ученых во всем мире в настоящее время является самым перспективным способом создания структур кремний-на-изоляторе и многослойных структур не только для кремния, но и для других полупроводниковых материалов